Transistor bipolaire 2SB966-P

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -8 A
• Dissipation de puissance maximum: 80 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 320
• Fréquence de transition minimum: 65 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-3P

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB966-P peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB966 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB966-Q entre 100 à 200, celui du 2SB966-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB966-P peut n'être marqué que B966-P.Le transistor NPN complémentaire du 2SB966-P est le 2SD1289-P.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB966-P par 2SA1106, 2SA1633, 2SA1633-F, 2SA1788 ou 2SA1788-F.