Transistor bipolaire 2SB861B

Caractéristiques électriques du transistor 2SB861B

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Température de stockage et de fonctionnement: -45 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB861B

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB861B peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB861 est compris entre 60 à 200, celui du 2SB861C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB861B peut n'être marqué que B861B.

Complémentaire du transistor 2SB861B

Le transistor NPN complémentaire du 2SB861B est le 2SD1138B.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB861B

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB861B par 2SA1667, 2SA1668, 2SA1859, 2SA1859A, 2SB546, 2SB546A, 2SB546A-L, 2SB547, 2SB630, 2SB630-R, 2SB940, 2SB940-Q, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, KSB546, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJF15031, MJF15031G ou NTE398.
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