Transistor bipolaire 2SB705B-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB705B-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 120 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 17 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SB705B-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB705B-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB705B est compris entre 40 à 200, celui du 2SB705B-R entre 60 à 120, celui du 2SB705B-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB705B-Q peut n'être marqué que B705B-Q.

Complémentaire du transistor 2SB705B-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB705B-Q est le 2SD745B-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB705B-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB705B-Q par 2SA1073, 2SA909, 2SB600, 2SB600-Q, 2SB697K, 2SB697K-E, 2SB706, 2SB706-Q, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB722, 2SB723 ou 2SB723-C.
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