Caractéristiques électriques du transistor 2SB686-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -100 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -6 A
Dissipation de puissance maximum: 60 W
Gain de courant (hfe): 55 à 110
Fréquence de transition minimum: 10 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SB686-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB686-R peut avoir un gain en courant continu de 55 à 110. Le gain en courant continu du 2SB686 est compris entre 55 à 160, celui du 2SB686-O entre 80 à 160.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB686-R peut n'être marqué que B686-R.
Complémentaire du transistor 2SB686-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB686-R est le 2SD716-R.
Version SMD du transistor 2SB686-R
Le BDP954 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB686-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB686-R