Caractéristiques électriques du transistor 2SB863-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
Tension collecteur-base maximum: -140 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -10 A
Dissipation de puissance maximum: 100 W
Gain de courant (hfe): 55 à 110
Fréquence de transition minimum: 15 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SB863-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB863-R peut avoir un gain en courant continu de 55 à 110. Le gain en courant continu du 2SB863 est compris entre 55 à 160, celui du 2SB863-O entre 80 à 160.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB863-R peut n'être marqué que B863-R.
Complémentaire du transistor 2SB863-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SB863-R est le 2SD1148-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB863-R