Transistor bipolaire 2SB1186A-D

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 50 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB1186A-D peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB1186A est compris entre 60 à 200, celui du 2SB1186A-E entre 100 à 200.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1186A-D peut n'être marqué que B1186A-D.Le transistor NPN complémentaire du 2SB1186A-D est le 2SD1763A-E.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1186A-D par 2SA1006, 2SA1006-R, 2SA1006A, 2SA1006A-R, 2SA1006B, 2SA1006B-R, 2SA1011, 2SA1011D, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1964, 2SA1964-D, 2SB630, 2SB630-R, 2SB940A, 2SB940A-Q, FJP1943, FJPF1943, MJE15033, MJE15033G, MJE5850 ou MJE5850G.