Transistor bipolaire 2SB1157
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1157
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -5 A
- Dissipation de puissance maximum: 60 W
- Gain de courant (hfe): 60 à 200
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3PF
Brochage du 2SB1157
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB1157
Version SMD du transistor 2SB1157
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1157
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