Transistor bipolaire 2SD1712

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1712

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SD1712

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1712 peut avoir un gain en courant continu de 60 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1712-P est compris entre 100 à 200, celui du 2SD1712-Q entre 60 à 120, celui du 2SD1712-S entre 80 à 160.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1712 peut n'être marqué que D1712.

Complémentaire du transistor 2SD1712

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1712 est le 2SB1157.

Version SMD du transistor 2SD1712

Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1712.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1712

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1712 par 2SC2681, 2SD1485, 2SD1486, 2SD1487, 2SD1488, 2SD1713, 2SD1714, 2SD1715 ou 2SD1716.
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