Transistor bipolaire 2SB1055

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1055

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1055

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1055 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 200. Le gain en courant continu du 2SB1055-P est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1055-Q entre 60 à 120, celui du 2SB1055-R entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1055 peut n'être marqué que B1055.

Complémentaire du transistor 2SB1055

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1055 est le 2SD1486.

Version SMD du transistor 2SB1055

Le BDP956 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1055.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1055

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1055 par 2SB1056 ou 2SB1057.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com