Transistor bipolaire 2SB1055
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1055
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
- Tension collecteur-base maximum: -120 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -6 A
- Dissipation de puissance maximum: 70 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 200
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3PF
Brochage du 2SB1055
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SB1055
Version SMD du transistor 2SB1055
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1055
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