Transistor bipolaire 2SB1121

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1121

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 560
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB1121

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1121 peut avoir un gain en courant continu de 100 à 560. Le gain en courant continu du 2SB1121-R est compris entre 100 à 200, celui du 2SB1121-S entre 140 à 280, celui du 2SB1121-T entre 200 à 400, celui du 2SB1121-U entre 280 à 560.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1121 peut n'être marqué que B1121.

Complémentaire du transistor 2SB1121

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1121 est le 2SD1621.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1121

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1121 par 2SB1123 ou 2SB1124.
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