Transistor bipolaire 2N6111G
Caractéristiques électriques du transistor 2N6111G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
- Tension collecteur-base maximum: -40 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -7 A
- Dissipation de puissance maximum: 40 W
- Gain de courant (hfe): 30 à 150
- Fréquence de transition minimum: 4 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
- Le 2N6111G est la version sans plomb du transistor 2N6111
Brochage du 2N6111G
Complémentaire du transistor 2N6111G
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6111G
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