Transistor bipolaire MMBT5401

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.6 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 240
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Figure de bruit maximum: 8 dB
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-23

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MMBT5401 est marqué "2L".Le transistor NPN complémentaire du MMBT5401 est le MMBT5551.Vous pouvez remplacer le transistor MMBT5401 par 2N5401S.