Transistor bipolaire DZT5401

Caractéristiques électriques du transistor DZT5401

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -160 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.6 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 300 MHz
  • Figure de bruit maximum: 8 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223
  • Electrically Similar to the Popular 2N5401 transistor

Brochage du DZT5401

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor DZT5401 est marqué "K4M".

Complémentaire du transistor DZT5401

Le transistor NPN complémentaire du DZT5401 est le DZT5551.

Transistor DZT5401 en boîtier TO-92

Le 2N5401 est la version TO-92 du DZT5401.
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