Transistor bipolar PMBT5550
Características del transistor PMBT5550
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 0.3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.25 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 250
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Figura de ruido máxima: 10 dB
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor
Diagrama de pines del PMBT5550
Marcado
Transistor PMBT5550 en envase TO-92
Sustitución y equivalentes para el transistor PMBT5550
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