Transistor bipolar 2N5550

Características del transistor 2N5550

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.625 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 250
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92

Diagrama de pines del 2N5550

El 2N5550 se fabrica en una caja de plástico TO-92. Si se mira la parte plana con los cables apuntando hacia abajo, los tres cables que salen del transistor son, de izquierda a derecha, el emisor, la base y el colector.
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2N5550 es el 2N5400.

Versión SMD del transistor 2N5550

El KST5550 (SOT-23), MMBT5550 (SOT-23) y PMBT5550 (SOT-23) es la versión SMD del transistor 2N5550.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5550

Puede sustituir el 2N5550 por el 2N5833, 2SC1009 o KSC1009.
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