Transistor bipolar MMBT5550

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
• Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 250
• Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: SOT-23

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor MMBT5550 está marcado como "1F".Puede sustituir el MMBT5550 por el FMMT625 o KST5550.