Transistor bipolar KST5550
Características del transistor KST5550
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 140 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 0.6 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 250
- Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular 2N5550 transistor
Diagrama de pines del KST5550
Marcado
Transistor KST5550 en envase TO-92
Sustitución y equivalentes para el transistor KST5550
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