Transistor bipolar KTC8550S-D

Características del transistor KTC8550S-D

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -35 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 150 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular KTC8550D transistor

Diagrama de pines del KTC8550S-D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTC8550S-D puede tener una ganancia de corriente de 150 a 300. La ganancia del KTC8550S estará en el rango de 100 a 300, para el KTC8550S-C estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

El transistor KTC8550S-D está marcado como "BLD".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del KTC8550S-D es el KTC8050S-D.

Transistor KTC8550S-D en envase TO-92

El KTC8550D es la versión TO-92 del KTC8550S-D.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTC8550S-D

Puede sustituir el KTC8550S-D por el 2SA1621, BCW67, BCW68, FMMT549, FMMT549A, FMMT591, FMMT591Q, KTA1298, MMBT2907, MMBT2907A, MMBT4354 o MMBT4355.
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