Transistor bipolar KTC8550S
Características del transistor KTC8550S
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -30 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -35 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 300
- Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular KTC8550 transistor
Diagrama de pines del KTC8550S
Clasificación de hFE
Transistor NPN complementario
Transistor KTC8550S en envase TO-92
Sustitución y equivalentes para el transistor KTC8550S
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