Transistor bipolar KTC8050S-D

Características del transistor KTC8050S-D

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 35 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 150 a 300
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23
  • Electrically Similar to the Popular KTC8050D transistor

Diagrama de pines del KTC8050S-D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor KTC8050S-D puede tener una ganancia de corriente de 150 a 300. La ganancia del KTC8050S estará en el rango de 100 a 300, para el KTC8050S-C estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

El transistor KTC8050S-D está marcado como "BKD".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del KTC8050S-D es el KTC8550S-D.

Transistor KTC8050S-D en envase TO-92

El KTC8050D es la versión TO-92 del KTC8050S-D.

Sustitución y equivalentes para el transistor KTC8050S-D

Puede sustituir el KTC8050S-D por el 2SC4210, BCW65, BCW66, FMMT449, FMMT491, FMMT491Q, FMMT619, KTC3265 o MMBT2222A.
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