Transistor bipolar KD501
Características del transistor KD501
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 40 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 40 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 20 A
- Disipación de Potencia Máxima: 150 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 15
- Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -50 to +155 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del KD501
Sustitución y equivalentes para el transistor KD501
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