Transistor bipolar 2N5302G

Características del transistor 2N5302G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 30 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 60
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +200 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • El 2N5302G es la versión sin plomo del transistor 2N5302

Diagrama de pines del 2N5302G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2N5302G

Puede sustituir el 2N5302G por el 2N5302, 2N5685, 2N5685G, 2N5686, 2N5686G, MJ14000, MJ14000G, MJ14002 o MJ14002G.
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