Transistor bipolar FJP5200O

Características del transistor FJP5200O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 250 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 250 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 17 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del FJP5200O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor FJP5200O puede tener una ganancia de corriente de 80 a 160. La ganancia del FJP5200 estará en el rango de 55 a 160, para el FJP5200R estará en el rango de 55 a 100.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del FJP5200O es el FJP1943O.

Sustitución y equivalentes para el transistor FJP5200O

Puede sustituir el FJP5200O por el FJPF5200 o FJPF5200O.
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