Transistor bipolar FJP5200R
Características del transistor FJP5200R
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 250 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 250 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 17 A
- Disipación de Potencia Máxima: 80 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 55 a 100
- Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del FJP5200R
Clasificación de hFE
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor FJP5200R
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