Transistor bipolar FJP5200

Características del transistor FJP5200

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 250 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 250 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 17 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 55 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del FJP5200

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor FJP5200 puede tener una ganancia de corriente de 55 a 160. La ganancia del FJP5200O estará en el rango de 80 a 160, para el FJP5200R estará en el rango de 55 a 100.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del FJP5200 es el FJP1943.

Sustitución y equivalentes para el transistor FJP5200

Puede sustituir el FJP5200 por el FJPF5200.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com