Transistor bipolar FJPF5200O

Características del transistor FJPF5200O

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 250 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 250 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 17 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 30 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del FJPF5200O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor FJPF5200O puede tener una ganancia de corriente de 80 a 160. La ganancia del FJPF5200 estará en el rango de 55 a 160, para el FJPF5200R estará en el rango de 55 a 100.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del FJPF5200O es el FJPF1943O.

Sustitución y equivalentes para el transistor FJPF5200O

Puede sustituir el FJPF5200O por el FJP5200 o FJP5200O.
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