Transistor bipolar BDV67
Características del transistor BDV67
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 16 A
- Disipación de Potencia Máxima: 200 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3P
Diagrama de pines del BDV67
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDV67
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