Transistor bipolar BDV67A

Características del transistor BDV67A

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 16 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del BDV67A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDV67A es el BDV66A.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDV67A

Puede sustituir el BDV67A por el BDV67B, BDV67C o BDV67D.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com