Transistor bipolar BDV67B

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 16 A
• Disipación de Potencia Máxima: 200 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDV67B es el BDV66B.Puede sustituir el BDV67B por el BDV67C o BDV67D.