Transistor bipolar BDV67C

Características del transistor BDV67C

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 16 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del BDV67C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDV67C es el BDV66C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDV67C

Puede sustituir el BDV67C por el BDV67D.
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