Transistor bipolar BDV64BG

Características del transistor BDV64BG

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-247
  • El BDV64BG es la versión sin plomo del transistor BDV64B

Diagrama de pines del BDV64BG

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDV64BG equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDV64BG es el BDV65BG.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDV64BG

Puede sustituir el BDV64BG por el 2SB1560, 2SB1560-O, 2SB1560-P, 2SB1560-Y, 2SB887, BDV64B, BDV66B, BDV66C, BDV66D, TIP147 o TIP147G.
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