Transistor bipolar BDV64B

Características del transistor BDV64B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-247

Diagrama de pines del BDV64B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDV64B equivalent circuit

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDV64B es el BDV65B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDV64B

Puede sustituir el BDV64B por el 2SB1560, 2SB1560-O, 2SB1560-P, 2SB1560-Y, 2SB887, BDV64BG, BDV66B, BDV66C, BDV66D, TIP147 o TIP147G.

Versión sin plomo

El transistor BDV64BG es la versión sin plomo del BDV64B.
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