Transistor bipolar BDV64B
Características del transistor BDV64B
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 125 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-247
Diagrama de pines del BDV64B
Equivalent circuit
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDV64B
Versión sin plomo
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