Transistor bipolar BDV66B

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -16 A
• Disipación de Potencia Máxima: 200 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 1000
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor NPN complementario del BDV66B es el BDV67B.Puede sustituir el BDV66B por el BDV66C o BDV66D.