Transistor bipolar 2SB1560-O

Características del transistor 2SB1560-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -150 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 5000 a 12000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB1560-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1560-O puede tener una ganancia de corriente de 5000 a 12000. La ganancia del 2SB1560 estará en el rango de 5000 a 30000, para el 2SB1560-P estará en el rango de 6500 a 20000, para el 2SB1560-Y estará en el rango de 15000 a 30000.

Equivalent circuit

2SB1560-O equivalent circuit

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1560-O puede estar marcado sólo como "B1560-O".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1560-O es el 2SD2390-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1560-O

Puede sustituir el 2SB1560-O por el BDV66D, MJH11017, MJH11017G, MJH11019, MJH11019G, MJH11021 o MJH11021G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com