Transistor bipolar BDT61C

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
• Disipación de Potencia Máxima: 50 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 750
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDT61C es el BDT60C.Puede sustituir el BDT61C por el BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW53D, BDW63D, BDW73D o BDX33D.