Transistor bipolar BD139-10

Características del transistor BD139-10

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 63 a 160
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD139-10

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD139-10 puede tener una ganancia de corriente de 63 a 160. La ganancia del BD139 estará en el rango de 40 a 250, para el BD139-16 estará en el rango de 100 a 250, para el BD139-6 estará en el rango de 40 a 100.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD139-10 es el BD140-10.

Versión SMD del transistor BD139-10

El BCP56 (SOT-223), BCP56-10 (SOT-223), BCX56 (SOT-89) y BCX56-10 (SOT-89) es la versión SMD del transistor BD139-10.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD139-10

Puede sustituir el BD139-10 por el 2SC2481, 2SC3621, 2SD669, 2SD669A, BD139G, BD169, BD179, BD179-10, BD179G, BD230, BD237, BD237G, BD379, BD379-10, BD789, BD791, KSE182, MJE182, MJE182G, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G, MJE244 o MJE722.
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