Transistor bipolar BD139G

Características del transistor BD139G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El BD139G es la versión sin plomo del transistor BD139

Diagrama de pines del BD139G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD139G es el BD140G.

Versión SMD del transistor BD139G

El BCP56 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD139G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD139G

Puede sustituir el BD139G por el BD139, BD169, BD179, BD230, BD237, BD237G, BD379, BD789, BD791, MJE242, MJE244 o MJE722.
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