Transistor bipolar BD139G
Características del transistor BD139G
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
- El BD139G es la versión sin plomo del transistor BD139
Diagrama de pines del BD139G
Transistor PNP complementario
Versión SMD del transistor BD139G
Sustitución y equivalentes para el transistor BD139G
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