Transistor bipolar MJE182G

Características del transistor MJE182G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 250
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del MJE182G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Versión SMD del transistor MJE182G

El BDP951 (SOT-223) y BDP953 (SOT-223) es la versión SMD del transistor MJE182G.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE182G

Puede sustituir el MJE182G por el BD179, BD789, BD791, KSE182, MJE182, MJE242 o MJE244.
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