Transistor bipolar BD135-6

Características del transistor BD135-6

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 100
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD135-6

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD135-6 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 100. La ganancia del BD135 estará en el rango de 40 a 250, para el BD135-10 estará en el rango de 63 a 160, para el BD135-16 estará en el rango de 100 a 250.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD135-6 es el BD136-6.

Versión SMD del transistor BD135-6

El BCP54 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD135-6.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD135-6

Puede sustituir el BD135-6 por el 2N4922, 2N4922G, 2N4923, 2N4923G, 2N5191, 2N5191G, BD131, BD135G, BD137, BD137-6, BD137G, BD139, BD139-6, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD375-6, BD377, BD377-6, BD379, BD379-6, BD437, BD437G, BD439, BD439G, BD441, BD441G, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE223, MJE224, MJE225, MJE240, MJE241, MJE242, MJE721 o MJE722.
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