Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del BD135-6
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Clasificación de hFE
El transistor BD135-6 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 100. La ganancia del BD135 estará en el rango de 40 a 250, para el BD135-10 estará en el rango de 63 a 160, para el BD135-16 estará en el rango de 100 a 250.
Transistor PNP complementario
El transistor PNP complementario del BD135-6 es el BD136-6.
Versión SMD del transistor BD135-6
El BCP54 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD135-6.
Sustitución y equivalentes para el transistor BD135-6