Transistor bipolar BD135G

Características del transistor BD135G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El BD135G es la versión sin plomo del transistor BD135

Diagrama de pines del BD135G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD135G es el BD136G.

Versión SMD del transistor BD135G

El BCP54 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD135G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD135G

Puede sustituir el BD135G por el BD131, BD135, BD137, BD137G, BD139, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD377, BD379, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE225, MJE242, MJE721 o MJE722.
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