Transistor bipolar BD135

Características del transistor BD135

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD135

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD135 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 250. La ganancia del BD135-10 estará en el rango de 63 a 160, para el BD135-16 estará en el rango de 100 a 250, para el BD135-6 estará en el rango de 40 a 100.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD135 es el BD136.

Versión SMD del transistor BD135

El BCP54 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD135.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD135

Puede sustituir el BD135 por el BD131, BD135G, BD137, BD137G, BD139, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD377, BD379, BD785, BD787, BD787G, BD789, MJE225, MJE242, MJE721 o MJE722.

Versión sin plomo

El transistor BD135G es la versión sin plomo del BD135.
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