Transistor bipolar BCW68G

Características del transistor BCW68G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.8 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 400
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BCW68G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BCW68G puede tener una ganancia de corriente de 160 a 400. La ganancia del BCW68 estará en el rango de 100 a 630, para el BCW68F estará en el rango de 100 a 250, para el BCW68H estará en el rango de 250 a 630.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BCW68G es el BCW66G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BCW68G

Puede sustituir el BCW68G por el MMBT4354 o MMBT4355.
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