Transistor bipolar BC859W

Características del transistor BC859W

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 110 a 800
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Figura de ruido máxima: 1 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-323

Diagrama de pines del BC859W

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BC859W puede tener una ganancia de corriente de 110 a 800. La ganancia del BC859AW estará en el rango de 110 a 220, para el BC859BW estará en el rango de 200 a 450, para el BC859CW estará en el rango de 420 a 800.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BC859W es el BC849W.

Sustitución y equivalentes para el transistor BC859W

Puede sustituir el BC859W por el BC857W, BC858W o BC860W.
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