Transistor bipolar BC859BW

Características del transistor BC859BW

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 450
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Figura de ruido máxima: 1 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-323

Diagrama de pines del BC859BW

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BC859BW puede tener una ganancia de corriente de 200 a 450. La ganancia del BC859AW estará en el rango de 110 a 220, para el BC859CW estará en el rango de 420 a 800, para el BC859W estará en el rango de 110 a 800.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BC859BW es el BC849BW.

Sustitución y equivalentes para el transistor BC859BW

Puede sustituir el BC859BW por el BC807W, BC857BW, BC857W, BC858BW, BC858W, BC860BW, BC860W o FJX733.
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