Transistor bipolar BC859AW

Características del transistor BC859AW

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 110 a 220
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Figura de ruido máxima: 1 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-323

Diagrama de pines del BC859AW

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BC859AW puede tener una ganancia de corriente de 110 a 220. La ganancia del BC859BW estará en el rango de 200 a 450, para el BC859CW estará en el rango de 420 a 800, para el BC859W estará en el rango de 110 a 800.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BC859AW es el BC849AW.

Sustitución y equivalentes para el transistor BC859AW

Puede sustituir el BC859AW por el 2SA1586, 2SA1588, BC807-16W, BC807W, BC857AW, BC857W, BC858AW, BC858W, BC860AW, BC860W, FJX1182, FJX2907A, FJX3906, FJX733, KTN2907AU, KTN2907U, MMBT3906WT1, MMBT3906WT1G, MMST2907A, MMST3906, MMST4403, PMST3906 o PMST4403.
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