Transistor bipolar BC849W

Características del transistor BC849W

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 110 a 800
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Figura de ruido máxima: 1.2 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-323

Diagrama de pines del BC849W

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BC849W puede tener una ganancia de corriente de 110 a 800. La ganancia del BC849AW estará en el rango de 110 a 220, para el BC849BW estará en el rango de 200 a 450, para el BC849CW estará en el rango de 420 a 800.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BC849W es el BC859W.

Sustitución y equivalentes para el transistor BC849W

Puede sustituir el BC849W por el BC847W, BC848W o BC850W.
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