Transistor bipolar BC859B

Características del transistor BC859B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -30 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 200 a 450
  • Frecuencia máxima de trabajo: 150 MHz
  • Figura de ruido máxima: 1 dB
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del BC859B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BC859B puede tener una ganancia de corriente de 200 a 450. La ganancia del BC859 estará en el rango de 110 a 800, para el BC859A estará en el rango de 110 a 220, para el BC859C estará en el rango de 420 a 800.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BC859B es el BC849B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BC859B

Puede sustituir el BC859B por el 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, 2SB709A, 2SB709A-Q, 2SB709A-R, 2SB709A-S, 2STR2160, 2STR2230, BC807, BC857, BC857B, BC858, BC858B, BC860, BC860B, BCW67, BCW68, BCW72, BCW72LT1, BCW72LT1G, BCX17, FMMT549A, FMMTA55, KSA812, KST55, MMBT200, MMBT4354, MMBTA55 o SMBTA55.
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