Transistor bipolar MMBT200
Características del transistor MMBT200
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -75 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -0.5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 0.35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 450
- Frecuencia máxima de trabajo: 250 MHz
- Figura de ruido máxima: 5 dB
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: SOT-23
- Electrically Similar to the Popular PN200 transistor
Diagrama de pines del MMBT200
Marcado
Transistor NPN complementario
Transistor MMBT200 en envase TO-92
Sustitución y equivalentes para el transistor MMBT200
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