Transistor bipolar 2SB709A-R

Características del transistor 2SB709A-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -45 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.2 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 160 a 460
  • Frecuencia máxima de trabajo: 80 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-23

Diagrama de pines del 2SB709A-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB709A-R puede tener una ganancia de corriente de 160 a 460. La ganancia del 2SB709A estará en el rango de 160 a 460, para el 2SB709A-Q estará en el rango de 160 a 460, para el 2SB709A-S estará en el rango de 160 a 460.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB709A-R puede estar marcado sólo como "B709A-R".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB709A-R es el 2SD601A-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB709A-R

Puede sustituir el 2SB709A-R por el 2SA1037, 2SA1366, 2SA1518, 2SA1519, 2SA1520, 2SA1521, 2SA812, BC807, BC856, BC857, BC860, BCW68, BCX17, FMMTA55, FMMTA56, KSA812, KST55, KST56, MMBT4354, MMBTA55, MMBTA56, PMBTA56, SMBTA55 o SMBTA56.
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