Transistor bipolar 2SD789-B

Características del transistor 2SD789-B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 50 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SD789-B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD789-B puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SD789 estará en el rango de 100 a 800, para el 2SD789-C estará en el rango de 160 a 320, para el 2SD789-D estará en el rango de 250 a 500, para el 2SD789-E estará en el rango de 400 a 800.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD789-B puede estar marcado sólo como "D789-B".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD789-B es el 2SB740-B.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD789-B

Puede sustituir el 2SD789-B por el 2SC1384, 2SC2655, 2SC3243, 2SC3328, 2SC3940A, 2SD1207, 2SD1207-R, 2SD1347, 2SD1347R, 2SD1835, 2SD1835-R, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AC, 2SD667C, 2SD863, 2SD863-E, KTC1008, KTC1008-Y, KTC3209, KTD863 o KTD863-Y.
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